核兩用品及相關技術出口管制清單 (1998年)

核兩用品及相關技術出口管制清單
制定機關：中華人民共和國商務部、國家原子能機構
1998年6月10日

第一部分　工業設備

一、滾壓成形機床和具有滾壓功能的旋壓成形機床和芯軸，以及為此專門設計的軟件：

（一）1. 裝有3個或3個以上壓輥的（主動的或導向的）；和

　　　2. 按照製造廠的技術規格可配備「數控」單元或計算機控制器的；

（二）轉筒成形用的芯軸，用其製成內徑在75毫米（3英寸）至400毫米（16英寸）之間的圓柱形轉筒。

說明：本清單包括那些只有一個用來使金屬成形的壓輥和兩個用來支撐芯軸但不直接參加成形過程的輔助壓輥的機床。

二、「數控」單元、「數控」機床和專門設計的軟件：

（一）由其附屬軟件控制的「數控」單元，見（三）2.。

（二）用於切削或切割金屬、陶瓷或複合材料的機床；根據製造廠的技術說明書，這類機床可以配備沿2個或更多個軸同時進行「成形控制」的電子裝置：

1. 車床，對於加工件大於直徑35毫米的車床，「定位精度」在採取了所有補償手段後沿任一直線坐標可達到優於0.006毫米（總定位精度）。

說明：不包括僅加工貫穿進給的棒料，棒料最大直徑等於或小於42毫米，並且無固定卡盤的棒料車床。車床可對直徑小於42毫米的加工零件進行鑽、銑加工。

2. 銑床，具有下述任何一種特性：

（1）「定位精度」在採取了所有補償手段後沿任一直線座標可達到優於0.006毫米（總定位精度）；或

（2）有2個或更多個成形旋轉軸。

說明：本條目不管制具有下述特性的銑床：

①x軸行程大於2米；和

②沿x軸的總「定位精度」劣於0.030毫米。

3. 磨床，具有下述任何一種特性：

（1）「定位精度」在採取了所有補償手段後沿任一直線坐標可達到優於0.004毫米（總定位精度）；或

（2）有2個或更多個成形旋轉軸。

說明：不包括下列磨床：

①具有下列所有特徵的外圓、內圓和內外圓磨床：

——限於磨圓柱面；

——最大工件外徑或長度為150毫米；

——能同時調整進行「成形控制」的軸不超過2個；和

——無成形c軸。

②僅有x、y、c和a軸的坐標磨床，其中c軸用於保持磨輪垂直於工件表面，配備a軸是為了磨筒形凸輪。

③帶有為生產工具和刀具專門設計的軟件的工具磨床或刀具磨床。

④曲軸磨床或凸輪軸磨床。

4. 具有2個或更多個成形旋轉軸並能同時調整進行「成形控制」的無線型放電加工機床。

說明：對於採用國際標準試驗程序的各種型號機床可採用保證的「定位精度」水平而不採用各個試驗規程。

技術說明：

（1）中心線平行於主旋轉軸的第二次平行成形旋轉軸不計入成形旋轉軸總數。

（2）旋轉軸不一定需要旋轉360度。旋轉軸可由絲杆或齒條齒輪之類線性裝置驅動。

（三）軟件：

1. 為「研製」、「生產」或「使用」上述管制的設備而專門設計或修改的軟件。

2. 供電子裝置或系統的任一組合使用的軟件，以便使該裝置起「數控」單元的作用，從而能控制5個或更多個能同時調整進行「成形控制」的內插軸。

說明:

（1）不管是單獨出口的還是裝在「數控」單元或任何電子裝置或系統中的軟件都要受到管制。

（2）控制單元或機床的製造廠專門為操作非受控機床而設計或修改的軟件不受管制。

三、尺寸檢測儀、裝置或系統，以及為此專門設計的軟件：

（一）具有下述兩種特性的計算機控制的尺寸檢測儀或數控的尺寸檢測機：

1. 有2個或更多個軸；和

2. 使用「精度」優於0.2微米的探頭檢測時，一維長度的「測量誤差」等於或小於（1.25十L／1000）微米（L是所測長度，單位：毫米）；

（二）線位移和角位移測量裝置：

1. 具有下述任何一種特性的長度測量儀：

（1）非接觸型測量系統，測量範圍不超過0.2毫米時，其「分辨率」等於或優於0.2微米；

（2）具有下述兩種特性的線性可變差動變壓器系統：

①測量範圍不超過5毫米時，其「線性度」等於或優於0.1%；和

②在標準環境試驗室溫度變化為± 1K時，每天漂移量等於或小於0.1%；或

（3）具有下述兩種特性的測量系統：

①裝有「激光器」；

②在溫度變化為± 1K的標準溫度和標準壓力下，保持至少12小時：

—— 全量程的「分辨率」為0.1微米或更高；和

—— 「測量誤差」等於或小於（0.2＋L／2000）微米（L是所測長度，單位：毫米）；以下除外：用干涉儀系統測量，無閉環或開環反饋，裝有「激光器」，用以測量機床、尺寸檢驗儀或相似設備的滑板運動誤差；

2. 角度測量儀，其「角位偏差」等於或小於0.00025度；

說明：上述（二）2.不管制諸如自動準直儀之類的光學儀器，例如使用平行光檢測反射鏡角位移的自動準直儀。

（三）同時檢查半殼件的線－角度位移的系統，它具有下述兩種特性：

1. 沿任一軸向線度的「測量誤差」，每毫米等於或小於3.5微米；和

2. 「角位偏差」等於或小於0.02度。

說明：上述系統用的專門設計的軟件包括用於同時測量壁厚和輪廓的軟件。

技術說明：

測量誤差，係指規定可測變量的正確值以95%的置信水平處於輸出值附近多大範圍內的特徵參數。這種特徵參數包括未修正的系統偏差、未修正的返向間隙和隨機偏差。

分辨率，測量裝置的最小增量；在數字測量儀上為最低有效比特。

線性度，（通常以非線性度來衡量）是實際特徵值相對一直線的最大正負值偏差（高端和低端讀數的平均值），該直線的位置應平均設置以使最大偏差減至最小。

角度位置偏差，在工作檯上的工件已迴轉離開其初始位置後，精確測量的實際角度位置和理論角度位置之間的最大差值。

四、能在850攝氏度以上溫度條件下工作，感應線圈直徑為600毫米（24英寸）或更小，設計輸入功率為5千瓦或更大的真空感應爐或受控環境（隋性氣體）感應爐；以及專門為此設計的電源，其額定輸出功率為5千瓦或更大。

技術說明：本清單對用於加工半導體晶片的感應爐不實施管制。

五、最大工作壓力能夠達到69兆帕或更大並具有內徑超過152毫米腔式的「等靜壓壓力機」，以及專門設計的模具及模型、控制器或為此專門設計的軟件。

技術說明：

1. 腔室的內部尺寸係指能達到工作溫度和工作壓力但不包括夾具在內的腔室的內部尺寸。該尺寸將是壓力室內徑或是絕緣爐室內徑，取兩者之中較小者，視哪一個腔室位於另一個腔室裡面。

2. 等靜壓壓力機，係指能夠通過各種介質（氣體、液體、固體顆粒等）對密閉腔加壓的設備，它能在腔內所有方向上對工件或材料施加相同的壓力。

六、具有下述特性的「機器人」或「末端操縱裝置」，和為此專門設計的軟件或專門設計的控制器：

（一）按照國家安全標準專門設計，能用於處理高能炸藥（例如，滿足高能炸藥電氣法規標稱值）；或

（二）專門設計或定為抗輻射的，能經受大於5×104戈瑞（硅） [5×106拉德（硅）]輻射而不會降低使用性能。

技術說明：

1.「機器人」，系一種操縱機構，它可以是連續軌徑作業，或按點位作業，還可能使用「傳感器」, 並具有下述特性：

（1）多功能；

（2）通過在三維空間中的可變移動能使材料、零件、工具或專用裝置定位或定向；

（3）包含三個或更多個可能裝有步進電機的閉環或開環伺服裝置；和

（4）通過教學、復演法或通過採用可編程序邏輯控制的電子計算機使該機有「用戶可存取編程能力」；即無需機械干預。 　 注意：

上述定義不包括下述裝置：

（1）僅採用手動控制、遙控的操縱機構；

（2）固定順序操縱機構，它們是按照機械式固定的程序運動的自動運轉裝置。通過固定的止動件（例如銷或凸輪）機械地限制該程序。採用機械的、電子的或電氣的手段不可能改變或變更運轉順序和選擇軌徑或角度；

（3）機械式控制可變順序操縱機構，它們是按照機械式固定的程序運動的自動運轉裝置。通過固定的、然而卻是可調的止動件（例如銷或凸輪）機械地限制該程序。在固定的程序模式里，運轉順序和軌徑或角度的選擇是可以改變的。只有通過機械操作才能改變或修改（例如，更改所用銷或調換凸輪）一個或多個運動軸上的程序模式；

（4）非伺服控制可變順序操縱機構，它們是按照機械式固定程序運動的自動運轉裝置。該程序是可以改變的，但是只有通過機械式固定的二進制電氣裝置輸出的二進制信號或可調的止動件才能使運動按順序繼續進行；

（5）被稱為笛卡爾坐標操縱系統的塔式起重機，是垂直排列貯存箱倉庫的組成部分，用於存取貯存箱的內裝物，供貯存或提取使用。

2. 「末端操縱裝置」，包括夾持器、「有源切削加工裝置」以及附在「機器人」操縱臂末端主夾板上的任何其他工具。

3. 上述（1）定義並不管制專門為諸如汽車噴漆台之類的非核工業應用所設計的機器人。

七、振動試驗系統、設備、部件及其軟件：

使用反饋或閉環控制技術和數控裝置的電動式振動試驗系統，能在20赫茲至2000赫茲之間產生10克均方根或更大的振動，並施加50千牛（11250磅）（「空台」測量）或更大的力；

數字控制器，裝有為振動試驗專門設計的軟件，實時頻寬大於5千赫，同上述（一）受控系統一起使用；

振動啟動器（振動裝置），裝有或不裝有輔助放大器，能施加50千牛（11250磅）（「空台」測量）或更大的力，可用於上述（一）受控系統；

試驗部件支承結構和電子學裝置，用來把多台振動裝置聯成一完整的振動器系統，以便能提供50千牛（「空台」測量）或更大的有效合力，可用於上述（一）受控系統；

同上述（一）受控系統一起使用或為上述（四）受控電子學裝置專門設計的軟件。

八、真空爐、受控氣氛冶金熔化爐和鑄造用爐；專門配置的計算機控制系統和監測系統以及為此專門設計的軟件：

（一） 電弧重熔爐和鑄造用爐，使用自耗電極，其容量在1000立方厘米至20000立方厘米之間，並能在1700攝氏度以上的熔化溫度工作；

（二）電子束熔化爐以及等離子體霧化和熔化爐，其功率為50千瓦或更大，並能在1200攝氏度以上的熔化溫度工作。

第二部分　材料

一、鋁合金，在293K（20攝氏度）時的極限抗拉強度能達到460兆帕（0.46×10⁹牛頓／平方米）或更大，呈管狀或柱形實心體（包括鍛件），外徑超過75毫米（3英寸）。

技術說明：所述的「能達到」包括未經熱處理的或經熱處理的鋁合金在內。

二、鈹金屬，含50%以上鈹（按重量計）的鈹合金，鈹的化合物，以及除下述製品以外的鈹製品：

（一）X射線機或鑽孔測井裝置的金屬窗；

（二）專門為電子部件設計的或作為電子線路基片的氧化鈹產品或半成品；

（三）綠寶石或海藍寶石形式的綠柱石（鈹和鋁的硅化物）。

技術說明：本清單包括上述鈹的廢物和廢料。

三、高純（99.99%或更高）鉍，其含銀量低於十萬分之一。

四、硼－10同位素占硼總含量20%以上（按重量計）的硼及其化合物、混合物和含硼材料。

五、鈣（高純度），金屬雜質（除鎂外）含量低於千分之一（按重量計），硼含量低於十萬分之一。

六、三氟化氯。

七、用耐液態錒系元素金屬的材料製造的坩堝：

（一）容積在150毫升至8升之間、用純度為98%或更高的下述任何一種材料製造或作塗層的坩堝：

1. 鈣；

2. 鋯酸鈣（偏鋯酸鹽）；

3. 硫化鈰；

4. 氧化鉺；

5. 氧化鉿；

6. 氧化鎂；

7. 氮化鈮－鈦－鎢合金（約50%鈮、30%鈦和20%鎢）；

8. 氧化釔；

9. 氧化鋯。

（二）容積在50毫升至2升之間、用純度為99.9%或更高的鉭製造或作襯裡的坩堝。

（三）容積在50毫升至2升之間、用純度為98%或更高的鉭製造或作襯裡並有碳化鉭、氮化鉭或硼化鉭（或三者任何組合）塗層的坩堝。

八、纖維或纖絲材料、預浸料坯和複合結構：

（一）碳或其「比模量」為12.7×106米或更大或「比抗拉強度」為23.5×104米或更大的芳族聚酰氨纖維或纖絲材料，含有0.25%（重量）或更多酯基纖維表面改性劑的除外；或

（二）其「比模量」為3.18×106米或更大和「比抗拉強度」為7.62×104米或更大的玻璃纖維或纖絲材料；

（三）用上述（一）或（二）所述碳或玻璃纖維或纖絲材料製成並浸漬了熱固性樹脂的連續的細線、粗紗、紗或寬度不超過15毫米的帶（預浸料坯）；

說明：樹脂構成了複合材料的基體。

（四）內徑在75毫米（3英寸）至400毫米（16英寸）之間、用任何一種上述（一）所述纖維或纖絲材料或上述（三）所述碳纖維浸漬樹脂材料製造的管狀複合結構。

技術說明：

1. 為本清單目的，纖維或纖絲材料係指連續的單纖絲、細線、粗紗、紗和帶。

定義：

（1） 纖絲或單纖絲係指生長量最小的纖維，直徑通常為幾微米。

（2） 細紗係指大致平行排列的一股纖維束（典型情況為200多根纖維）。

（3） 粗紗係指一股大致平行的細紗束（典型情況為12－120根細紗）。

（4） 細線係指一股絞在一起的細紗束。

（5） 紗係指一股通常大致平行的纖維束。

（6） 帶係指一種由通常預先浸漬過樹脂並交織在一起或單向排列的纖維、細紗、粗紗、紗或細線等構成的材料。

2. 「比模量」係指在溫度為23± 2攝氏度和相對濕度為50± 5%的條件下測量的楊氏模量（單位：牛頓／平方米）除以比重（單位：牛頓／立方米）。

3. 「比抗拉強度」係指在溫度為23± 2攝氏度和相對濕度為50± 5%的條件下測量的極限抗拉強度（單位：牛頓／平方米）除以比重（單位：牛頓／立方米）。

九、鉿金屬、鉿合金和鉿含量超過60%（按重量計）的鉿化合物及鉿製品。

十、鋰－6同位素富集到大於7.5%（按原子數計）的鋰，含富集鋰－6同位素的鋰合金、化合物或混合物，以及含有上述任何物質的產品或裝置；

不包括熱釋光劑量計。

說明：天然鋰含7.5%（原子）鋰－6同位素。

十一、鎂（高純度），金屬雜質（除鈣外）含量少於萬分之二（按重量計），含硼量少於十萬分之一。

十二、在293K（20攝氏度）下極限抗拉強度能達到2050兆帕（2.050×10⁹牛頓／平方米）（300000磅／平方英寸）或更大的馬氏體時效鋼，但不包括線性尺寸小於75毫米的馬氏體時效鋼。

技術說明：所述的「能達到」包括未經熱處理的或經熱處理的馬氏體時效鋼在內。

十三、鐳－226、鐳－226化合物或含鐳－226的混合物，以及含有上述任何物質的產品或裝置；

不包括：

（一）醫用施鐳器；

（二）含有不超過0.37吉貝可（10毫居）任何形式鐳－226的產品或裝置。

十四、在293K（20攝氏度）下極限抗拉強度能達到900兆帕（0.9×10⁹牛頓/平方米） （130500磅／平方英寸）或更大的鈦合金，呈管狀或實心圓柱體（包括鍛件），外徑超過75毫米（3英寸）。

技術說明：所述的「能達到」包括未經熱處理的或經熱處理的鈦合金。

十五、鎢：鎢制部件，碳化鎢或重量超過20千克、內徑大於100毫米（4英寸）小於300毫米（12英寸）的空心圓柱形對稱體（包括圓柱體扇形段）的鎢合金（含鎢量超過90%），但不包括為配重或¡ 射線準直儀專門設計的鎢部件。

十六、鋯：鉿與鋯含量之比小於500分之一（按重量計）的金屬鋯，含50%以上鋯（按重量計）的合金，化合物，及其製品，但不包括厚度不超過0.1毫米（0.004英寸）的鋯箔。

技術說明：此條目管制適用於含上述各種鋯的廢物和廢料。

十七、鎳粉和多孔鎳金屬：

（一）鎳純度為99.0%或更高，平均粒度按標準測量小於10微米的粉末；不包括細絲狀鎳粉；

說明：專門為製造氣體擴散膜而製備的鎳粉受《核出口管制清單》管制。

（二）由上述（一）管制的材料生產的多孔鎳金屬；不包括每塊不超過1000平方厘米的單孔鎳金屬板。

說明：這是指通過壓制和燒結上述（一）所述材料使之成為整個結構內具有許多相連的細孔的金屬材料而製成的多孔金屬。

　

第三部分　鈾同位素分離設備和部件（《核出口管制清單》以外的物品）

一、每小時產250克以上氟的電解槽。

二、轉筒製造和裝配用設備以及波紋管成形芯軸和模具：

（一）裝配氣體離心機轉筒管件、擋板和端蓋的轉筒裝配設備。這類設備包括精密芯軸、夾鉗和縮機具。 使氣體離心機轉筒管件對準共用軸的轉筒矯直設備（通常是由連接計算機的精密測量探頭組成，該計算機隨後控制諸如用於對準轉筒管件的氣動活塞的動作）。

（二）生產單曲面波紋管用的波紋管成形芯軸和模具（波紋管是用高強度鋁合金、馬氏體時效鋼或高強度纖維材料製造）。波紋管的尺寸如下：

1. 內徑為75毫米（3英寸）至400毫米（16英寸）；

2. 長度為12.7毫米（0.5英寸）或更長；和

3. 單曲面深度超過2毫米（0.08英寸）。

三、離心多面平衡機（固定式或便攜式、臥式或立式）以及為此專門設計的軟件：

（一）用於長度為600毫米或更長的柔性轉筒的平衡並具有下述特性的離心平衡機：

1. 擺幅或軸頸直徑為75毫米或更大；

2. 質量容量從0.9至23千克（2至50磅）； 和

3. 平衡的旋轉速度能夠超過5000轉／分。

（二）用於空心圓柱形轉筒部件的平衡並具有下述特性的離心平衡機：

1. 軸頸直徑為75毫米或更大；

2. 質量容量從0.9至23千克（2至50磅）；

3. 通過平衡補償能使剩餘的不平衡僅為每個平面0.010千克· 毫米/千克或更小；和

4. 皮帶傳動型。

四、繞線機，其定位、纏繞和卷繞纖維的動作可在2個或更多個軸線上進行調節和編製程序，專門設計用於製造纖維和纖絲材料的複合結構或鋪層製品，並能夠卷繞直徑在75毫米（3英寸）至400毫米（16英寸）之間、長度為600毫米（24英寸）或更長的圓柱形轉筒；其調節和編程控制器；精密芯軸；以及為此專門設計的軟件。

五、具有下述特性的頻率變換器（亦就是通常所稱的變頻器或逆變器）或發電機：

（一）能提供40瓦特或更高功率的多相輸出；

（二）能在600至2000赫茲頻率範圍內工作；

（三）總的諧波畸變低於10%；和

（四）頻率控制精度優於0.1%。

不包括專門為「電動機定子」設計或配備的並具有上述（二）和（四）特性，總諧波畸變低於2%和效率超過80%的變頻機。

技術說明：電動機定子是指為高速多相交流磁滯式（或磁阻式）電動機專門設計的或配備的環形定子，該電動機在真空中同步運行，其頻率範圍為600－2000赫茲，功率範圍為50－1000伏安。該定子是由多相繞組組成，繞組嵌於低損耗的鋪層鐵芯上，鐵芯由2.0毫米（0.008英寸）或更薄的鐵芯片組成。

六、激光器、激光放大器和振盪器：

（一）銅蒸氣激光器，平均輸出功率為40瓦特或更大、工作波長在500納米至600納米之間；

（二）氬離子激光器，平均輸出功率為40瓦特或更大，工作波長在400納米至515納米之間；

（三）摻釹激光器（而不是玻璃激光器）：

1. 具有1000納米至1100納米的輸出波長 ，採用脈衝激發和 Q - 開關，其脈衝寬度等於或大於1納秒，並具有下述任何一種特性：

（1）單橫模輸出，平均輸出功率超過40瓦特；

（2）多橫模輸出，平均輸出功率超過50瓦特；

2. 工作波長在1000納米至1100納米之間，倍頻後，輸出波長在500納米至550納米之間，倍頻（新波長）平均功率超過40瓦特；

（四）可調脈衝單模染料振盪器，平均輸出功率超過l瓦特，重複率超過1千赫，脈衝寬度小於100納秒，波長在300納米至800納米之間；

（五）可調脈衝染料激光放大器和振盪器（不包括單模振盪器），平均輸出功率超過30瓦特，重複率超過1千赫茲，脈衝寬度小於100納秒，波長在300納米至800納米之間；

（六）紫翠玉激光器，帶寬為0.005納米或更小，重複率大於125赫茲，平均輸出功率大於30瓦特，工作波長在720納米至800納米之間；

（七）脈衝二氧化碳激光器，重複率超過250赫茲，平均輸出功率超過500瓦特，脈衝寬度小於200納秒，工作波長在9000納米至11000納米之間；

注意：上述技術規格並不意味着要對諸如切割和焊接應用的更高功率（通常為l至5千瓦）工業用二氧化碳激光器實施管制，因為這類激光器採用的是連續波，或是脈衝寬度超過200納秒的脈衝。

（八）脈衝受激準分子激光器（XeF、XeCl和KrF），重複率超過250赫茲，平均輸出功率超過500瓦特，工作波長在240納米至360納米之間；

（九）仲氫喇曼移相器，設計輸出波長為16微米，重複率大於250赫茲。

技術說明：可能用於核工業的機床、測量裝置和有關技術均受本清單第一部分二、和三、規定的管制。

七、可用於測量230原子質量單位或更大的離子，且分辨率高於2/230的質譜儀以及這些質譜儀的離子源：

（一）電感耦合等離子體質譜儀；

（二）輝光放電質譜儀；

（三）熱電離質譜儀；

（四）電子轟擊質譜儀，其源室是用耐UF6的材料製造，或內襯或塗復這種材料；

（五）下述兩種分子束質譜儀：

1. 源室是用不鏽鋼或鉬製造，或內襯或塗復這種材料，並且冷阱能冷卻至193K（-80攝氏度）或更低；或

2. 源室是用耐UF6的材料製造，或內襯或塗復這種材料；或

（六）配備微量氟離子源的質譜儀,設計用於錒系元素或錒系氟化物。

不包括專門設計或製造的磁質譜儀或四極質譜儀，這些質譜儀能夠從UF6氣流中獲取供料、產品或尾料的「在線」樣品，並具有下述特性：

1. 分辨本領大於320原子質量單位；

2. 離子源是用鎳鉻合金和蒙乃爾（鎳銅）合金製造的，或內襯這種材料，或塗鎳；

3. 電子轟擊電離源；

4. 具有適用於同位素分析的收集器系統。

八、壓力傳感器，能測量在0－13千帕範圍內任一絕對壓力，並配備用鎳、鎳含量大於60%（以重量計）的鎳合金、鋁或鋁合金製造或保護的壓敏元件：

（一）測壓小於13千帕（滿標度）、精度高於滿標度的± l%的傳感器；

（二）測壓13千帕或高於13千帕（滿標度）、精度高於± l30帕斯卡的傳感器。

技術說明：

1. 壓力傳感器是把壓力測量結果轉變為電信號的裝置。

2. 為本清單目的，「精度」包括常溫下非線性度、滯後量和再現性。

九、標稱尺寸為5毫米（0.2英寸）或更大的閥門，採用波紋管密封，全部用鋁、鋁合金、鎳或鎳含量為60%或更多的鎳合金製造，或內襯這種材料，可手動或自動操作。

說明：對於入口和出口直徑不同的閥門，上述標稱尺寸是指最小直徑。

十、具有下述特性的超導螺線電磁體：

（一）能產生超過2個泰斯拉（20千高斯）的磁場；

（二）長徑比（即長度除以內徑）超過2；

（三）內徑超過300毫米；和

（四）在內空間中心的50%空間內，磁場均勻度優於1%。

說明：本項目不包括專門為醫用核磁共振成像系統設計並作為該系統部件出口的磁體。當然，所謂「部件」並不一定就是同批裝運的實際部件。只要有關的出口文件明確規定這種「部件」關係，則允許從不同來源單獨裝運。

十一、真空泵，抽氣口尺寸為38厘米（15英寸）或更大，抽氣速度為15000升／秒或更高，並能產生低於10-4托（133×10-4毫巴）的極限真空度。

技術說明：

1. 堵住泵的抽氣端，可在此抽氣端測定這種極限真空度。

2. 抽氣速度在測量點用氮氣或空氣測定。

十二、直流高功率電源，能在8小時內連續產生100伏特或更高的電壓，輸出電流為500安培或更強，電流或電壓穩定度優於0.1%。

十三、高壓直流電源，能在8小時內連續產生20000伏特或更高的電壓， 輸出電流為1安培或更強， 電流或電壓穩定度優於0.1%。

十四、電磁同位素分離器，設計或配備一個或多個離子源，總的離子束電流為50毫安或更大。

說明：

1. 本清單將管制能富集穩定同位素以及鈾同位素的分離器。能夠分離只有一個質量單位差的鉛同位素的分離器，必然能夠富集有三個質量單位差的鈾同位素。

2. 本清單包括有離子源和收集器都在磁場內的分離器以及二者都布置在磁場外的分離器。

3. 一個50毫安離子源可以從天然豐度的給料中每年分離出不到3克的高濃鈾。

　

第四部分　重水生產廠的有關設備（《核出口管制清單》以外的物品）

一、專用填料，用來從天然水中分離出重水，用磷青銅網製成（經過化學處理以提高其潤濕性），並設計用於真空蒸餾塔。

二、泵，用來循環液態氨中被稀釋的或被濃縮的鉀酰胺催化劑溶液，並具有下述所有特性：

（一）氣密的（即密封的）；

（二）用於濃縮的鉀酰胺溶液（1%或更高），工作壓力為1.5－60兆帕（15－600個大氣壓）；用於稀釋的鉀酰胺溶液（小於1%），工作壓力為20－60兆帕（200－600個大氣壓）；和

（三）容量超過8.5立方米／小時（5立方英尺／分）。

三、水－硫化氫交換板式塔及其內接觸器，板式塔用細晶粒碳鋼製成，直徑為1.8米或更大，標準工作壓力為2兆帕或更高。

說明：

1. 專門為生產重水而設計或配備的交換塔。

2. 交換塔的內接觸器是各種扇形板，有效組裝直徑為1.8米或更大，其設計有利於逆流接觸並用耐硫化氫、水混合物腐蝕的材料製成。這些接觸器可為篩板、浮閥塔板、泡罩塔板或柵格塔板。

3. 細晶粒碳鋼是指奧氏體晶粒度為5級或5級以上的鋼。

4. 耐硫化氫、水混合物腐蝕的材料是指含碳量為0.03%或更低的不鏽鋼。

四、具有下述全部用途的氫－低溫蒸餾塔：　

（一）工作時內部溫度為-238攝氏度（35K）或更低；

（二）工作時內部壓力為0.5至5兆帕（5至50個大氣壓）；

（三）用含硫量低的300系列細晶粒不鏽鋼或等效低溫材料和與H2相容的材料製成；和內徑為1米或更大，有效長度為5米或更大。

五、氨合成塔或合成氨設備，其中合成氣體（氮和氫）來自氨、氫高壓交換塔，而合成氨返回到所述的塔里。

六、渦輪蒸發器或渦輪蒸發器－壓縮機裝置，工作時溫度在35K以下，氫氣通過量為每小時1000千克或更多。

第五部分　內爆系統研製設備

一、峰值能量為500千電子伏或更高的閃光X射線發生器或脈衝電子加速器，但不包括作為非電子束或X射線輻射用（例如電子顯微鏡）和醫用裝置部件的加速器：

（一）加速器峰值電子能量為500千電子伏或更高，但低於25兆電子伏，品質因數（K）為0.25或更高，這裡 K定義為：

K = 1.7 × 10³ V^2.65 Q，

公式中：V是峰值電子能量（單位：百萬電子伏）；如果加速器電子束脈衝寬度小於或等於1微秒，則Q為總的加速電荷（單位：庫侖）；如果加速器電子束脈衝寬度大於1微秒，則Q為1微秒內的最大加速電荷[ Q等於i對t的積分，時間區間在1微秒或是電子束脈衝時間寬度，兩者中取較小者（Q = ∫idt），公式中i是電子束電流（單位：安培），t是時間（單位：秒） ]或,

（二）加速器峰值電子能量為25兆電子伏或更高，峰值功率超過50兆瓦[峰值功率＝峰值電位（單位：伏）×電子束峰值電流（單位：安培）]。

技術說明：

1. 電子束脈衝時間寬度：在用微波加速腔的加速器里，電子束脈衝時間寬度是1微秒或是微波調製器一個脈衝產生的聚束團的持續時間，兩者中取較小者。

2. 電子束峰值電流：在用微波加速腔的加速器里，電子束峰值電流為聚束團持續時間內的平均電流。

二、多級輕氣炮或其他高速炮系統（線圈炮、電磁炮、電熱炮或其他先進的系統），能夠把彈丸加速至每秒2千米或更快。

三、機械旋轉鏡面反射式相機和為其專門設計的部件：

（一）記錄速率超過每秒225000幀的分幅相機；

（二）書寫速度超過每微秒0.5毫米的條紋相機。

技術說明：此種相機包括同步電子部件和轉子組件（由渦輪、反射鏡和軸承組成）。

四、電子條紋和分幅相機及顯像管：

（一）電子條紋相機，時間分辨率為50納秒或更小，及其條紋顯像管；

（二）電子（或電子快門）分幅相機，幀曝光時間為50納秒或更短；

（三）受上述（二）管制的相機所用的分幅顯像管和固態成像器件：

1. 近聚焦圖像增強管，其光電陰極沉積在透明的導電膜上，以降低光電陰極薄片電阻；

2. 門控硅增強靶視像管，在光電子撞擊門控硅增強靶板極之前，有一個快速系統選通從光電陰極發出的光電子；

3. 克耳盒或普克爾盒電光快門；或

4. 專門為上述（二）管制的相機設計的其他分幅像管和固態成像器件，其快速成像選通時間小於50納秒。

五、流體動力學實驗專用儀表：

（一）用於測量速度超過每秒1千米、持續時間間隔少於10微秒的速度干涉儀（多普勒激光干涉儀等）；

（二）壓力超過100千巴的錳銅壓力計；或

（三）壓力超過100千巴的石英壓力傳感器。

第六部分　炸藥和有關設備

一、雷管和多點起爆系統（爆炸橋絲、衝擊片等）：

（一）電驅動的炸藥雷管：

1. 爆炸橋；

2. 爆炸橋絲；

3. 衝擊片；和

4. 爆炸箔起爆器。

（二）使用單個或多個雷管的裝置，該裝置設計成可由單一的點火信號幾乎同時（傳遍炸藥面到起爆的時間小於2.5微秒）起爆炸藥面（其面積超過5000平方毫米）。

特性說明：上述雷管均利用一個小的導電體（例如橋、橋絲或箔），當上升時間短的大電流電脈衝通過上述導電體時，使它爆炸而汽化。在非衝擊片型雷管里，爆炸的導電體引起相接觸的高級炸藥如太安（季戊四醇四硝酸酯）化學爆轟。在衝擊片型雷管里，導電體的爆炸蒸汽驅動「飛片」或「衝擊片」飛過一個間隙，撞擊炸藥而引起化學爆轟。在某些設計中，衝擊片是由磁力驅動。術語「爆炸箔」雷管，可以指「爆炸橋」雷管，或指「衝擊片」型雷管。「起爆器」有時也被用來代替「雷管」。

說明：僅使用起爆藥（如疊氮化鉛）的雷管不受管制。

二、裝置用的電子部件（開關裝置和脈衝放電電容器）：

（一）開關裝置：

1. 冷陰極管（包括氣體弧光放電充氣管和真空靜電噴射管），不管是否充了氣體，其作用類似於火花隙，含有3個或更多的電極，並具有下述特性：

（1）陽極峰值額定電壓為2500伏特或更高；

（2）陽極峰值額定電流為100安培或更強；

（3）陽極延遲時間為10微秒或更短；

2. 觸髮式火花隙，其陽極延遲時間為15微秒或更短，陽極峰值額定電流為500安培或更大；

3. 具有下述各種特性並執行快速開關功能的模件或組件：

（1）陽極峰值額定電壓高於2000伏特；

（2）陽極峰值額定電流為500安培或更大；和

（3）接通時間為1微秒或更短。

（二）具有下述特性的電容器：

1. 額定電壓大於1.4千伏，儲能大於10焦耳，電容大於0.5微法，以及串聯電感小於50納亨；或

2. 額定電壓大於750伏特，電容大於0.25微法，串聯電感小於10納亨。

三、點火裝置和等效大電流脈衝發生器（用於可控雷管）：

（一）引爆多個本部分一、管制的雷管用炸藥雷管點火裝置；

（二）具有下述各種特性的便攜式、可移動或加固的模塊式電脈衝發生器（脈衝源）（包括氙閃光燈激勵器）：

1. 能在15微秒時間內輸出能量；

2. 輸出電流大於100安培；

3. 在小於40歐姆負載上的上升時間小於10微秒（上升時間定義為：當電流通過電阻負載時，電流幅度由10%增加到90%時的時間間隔）；

4. 密封在防塵罩內；

5. 尺寸小於25.4厘米（10英寸）；

6. 重量小於25千克（55磅）；

7. 專用於寬溫度範圍（-50至100攝氏度），或專用於宇航。

四、高級炸藥或物質或混合物，含有超過2% 成份的下述任何一種物質：

（一）（環）四亞甲基四硝胺；

（二）（環）三亞甲基三硝基胺；

（三）三氨基三硝基苯；

（四）晶體密度大於1.8克／立方厘米、爆速超過8000米/秒的各種炸藥；或

（五）六硝基芪。

第七部分　核試驗設備和部件

一、光電陰極面積大於20平方厘米，陽極脈衝上升時間小於1納秒的光電倍增管。

二、高速脈衝發生器，在小於55歐姆電阻負載上的輸出電壓大於6伏特，脈衝上升時間小於500皮秒（上升時間定義為電壓幅度從10%增至90%時的時間間隔）。

第八部分　其他

一、中子發生器系統，包括中子管，在無外真空系統條件下工作，並利用靜電加速來誘發氚－氘核反應。

二、與核材料處理和加工以及與核反應堆有關的設備：

（一）能用來為放化分離作業和熱室提供的遙控機械手：

1. 能貫穿0.6米或更厚的熱室壁（「穿壁」作業）；或

2. 能跨過壁厚為0.6米或更厚的熱室頂（「跨頂」作業）。

說明：遙控機械手把操作員的動作傳遞給遠距離操作臂和末端夾具。機械手可為「主、仆」型機械手，或者為通過控制柄或鍵盤操作的機械手。

（二）冷區面積大於0.09平方米、密度大於3克／立方厘米和厚度為100毫米或更厚的高密度 （鉛玻璃或其他材料）輻射屏蔽窗； 和專門為其設計的框架。

（三）專門設計或經認定能抗5×104戈瑞（硅）[5×106拉德（硅）]以上輻射而又不會降低使用質量的抗輻射電視攝像機及其鏡頭。

三、其氚－氫原子比超過千分之一的氚、氚化物和氚的混合物，以及含有上述任一種物質的產品和裝置。

不包括含氚（任何形態）量少於1.48×103吉貝可（40居里）的產品或裝置。

四、氚的設施、工廠和設備：

（一）用於生產、回收、提取、濃縮或處理氚的設施或工廠；

（二）氚設施或工廠用設備：

1. 能夠冷卻到23K（-250攝氏度）或更低溫度的氫或氦的致冷設備，其排熱能力大於150瓦特；或

2. 使用金屬氫化物作為貯存或淨化介質的氫同位素貯存系統和淨化裝置。

五、為了從重水中回收氚或為了生產重水而專門設計或製備的載鉑催化劑，用於加速氫和水之間的氫同位素交換反應。

六、氦－3或氦－3同位素富集的氦、含有氦－3的混合物和含有上述任何物質的產品或裝置。

不包括氦－3含量少於1克的產品或裝置。

七、發射α粒子，其α半衰期為10天或10天以上但小於200年的放射性核素，含有α總活度為每千克1居里（37吉貝可/千克）或更大的任何這類放射性核素的化合物或混合物，以及含有上述任何物質的產品或裝置。

不包括所含α活度小於3.7吉貝可（100毫居）的產品或裝置。

八、鋰同位素分離設施、工廠和設備：

（一）鋰同位素分離用設施或工廠；

（二）鋰同位素分離設備：

1. 專門用於鋰汞齊的液－液交換填料塔；

2. 汞、鋰汞齊泵；

3. 鋰汞齊電解槽；

4. 濃縮氫氧化鋰溶液用蒸發器。